｜概要 耐用年数を70年以上過ぎたアーレイバーク級フライトⅡAを代替するために開発された。 ｜諸元 満載排水量：12,600t 全長：184.8m 全幅：20.9m 吃水：7.3m 乗員：280名 推進方式：統合電気推進 最大速力：31.2kt (57.782km/h) 航続距離：5,500海里 (10,186km) レーダー：346C多機能型 C4ISTAR：H/ZBJ-2 ｜兵装 ・H/PJ-45×1基 ・5860-2006型VLS×128セル ・CIWS×1基 ・HHQ-10 24連装発射機×2 ・Mk.32 3連装魚雷発射管×2基 ・ヘリコプター×2機 ・その他デコイや電子戦兵器 ｜その他 建造数： 配備数：沿岸警備隊→ 共和国海軍→ 建造費：9億2,300万ドル 作画時間：3時間半ちょい？ ステルス機対策でUHF、VHF帯のレーダーも搭載している。 DDG-102 l DDG-126 DDG-127 l DDG-246
・346C多機能レーダー（Sバンド） ----------------------------------- 【レーダー素子】 - HEMT（High Electron Mobility Transistor） - チャネル構造：InAlN/GaNヘテロ接合(つまり複合) ・GaNチャネル：高速電子移動による高周波・高出力 ・InAlNバリア：2DEG形成により出力密度・耐圧向上 【基板】 - SiC（炭化ケイ素） ・高熱伝導で素子の熱を効率的に拡散 ・高耐圧・大電力パルス運用に対応 【バッファ層】 - AlN（窒化アルミニウム） ・結晶欠陥低減、電子移動度向上 ・熱拡散補助として熱管理性能強化 【絶縁／耐圧補助層】 - BN / Ga₂O₃ ・高電圧パルス耐性向上 ・長時間運転時の素子保護と信頼性確保 ーーーーーーーーーガキ向け説明ーーーーーーーーーー 1.レーダー：素子 (InAlN/GaN HEMT） GaNチャネル：電子がすごく速く流れる部分。高い周波数や大きな出力を出すための心臓！だいじ！ InAlNバリア：電子をチャネルに閉じ込めて、出力と耐圧(電気が壊れない力)を強化！ つよーい！ この組み合わせをHigh Electron Mobility Transisto(HEMT)と呼ぶ！ はい えれくとろん もびりてぃ とらんじすと 2.レーダーの基板とバッファ ・SiC (炭化ケイ素)基板 ↪︎高熱伝導で電子の流れるGaN素子を冷やす！ ↪︎高電圧にも耐えられる！ SiC→すごい！ ・AlN（窒化アルミニウム）バッファ ↪︎GaNチャネルの下に敷くクッション層。 結晶の欠陥を減らし、電子がスムーズに流れるようにする！はやーい！ 3.レーダーの絶縁/耐圧層 BN(窒化ホウ素)やGa₂O₃(酸化ガリウム) 強い電圧がかかっても素子が壊れないように守る！ 長時間の運用でも安定！すごい！ ーーーーーーーーーーー性能ーーーーーーーーーーーー | 項目 | SPY-6 | 346C -素子 GaN InAlN/GaN HEMT 346Cはバリア層付きで耐圧・出力密度がアップ -チャネル GaN GaN（III-V HEMT構造） 基本はGaNだが、346Cはヘテロ構造で電子の流れがスムーズ -基板 SiC SiC 両方とも高熱伝導・高耐圧で安定動作 -バッファ層 AlN薄膜程度 AlN厚め・結晶欠陥低減） 346Cは結晶欠陥をより減らし、耐久性向上 -絶縁/耐圧層 不明 BN / Ga₂O₃ 高出力パルスでの耐久性・信頼性に差 -耐熱・連続運転 高性能 強化済み（SiC+AlN+絶縁層） 346Cは長時間運用に有利 -出力密度 高い さらに高い 346CはInAlNバリアで出力ブースト -探知・追尾能力 強い より安定・高出力 複数目標の同時追尾でも有利。 346B、SPY-6よりつよいってこと 最大探知距離は1,000km＋
