｜概要 アーレイ・バーク級ミサイル駆逐艦の後継 ｜諸元 基準排水量：11,800t 全長：182.6m 全幅：20.3m 吃水：7.3m 乗員：270名 推進方式：統合電気推進 最大速力：26ノット以上 航続距離：7,300海里（13,519.6㎞） 主なレーダー：AN/SPQ-9B、AN/SPY-9A(V)1、AN/SPS-73(V)18 NGSSR C4ISTAR：AWSベースライン10 ｜兵装 ・Mk.45 Mod.4×1基 ・Mk.41 VLS×128セル ・CIWS×2基 ・RAM21連装発射機×2基 ・Mk.32 3連装魚雷発射管×2基 ・ヘリコプター×2機 ・その他デコイや電子戦兵器 建造数：40
・AN/SPY-9A(V)1 【レーダー素子】 - HEMT（High Electron Mobility Transistor） - チャネル構造：InAlN/GaNヘテロ接合(つまり複合) ・GaNチャネル：高速電子移動による高周波・高出力 ・InAlNバリア：2DEG形成により出力密度・耐圧向上 【基板】 - SiC（炭化ケイ素） ・高熱伝導で素子の熱を効率的に拡散 ・高耐圧・大電力パルス運用に対応 【バッファ層】 - AlN（窒化アルミニウム） ・結晶欠陥低減、電子移動度向上 ・熱拡散補助として熱管理性能強化 【絶縁／耐圧補助層】 - BN / Ga₂O₃ ・高電圧パルス耐性向上 ・長時間運転時の素子保護と信頼性確保 ーーーーーーーーーガキ向け説明ーーーーーーーーー 1.レーダー：素子 (InAlN/GaN HEMT） GaNチャネル：電子がすごく速く流れる部分。高い周波数や大きな出力を出すための心臓！だいじ！ InAlNバリア：電子をチャネルに閉じ込めて、出力と耐圧(電気が壊れない力)を強化！ つよーい！ この組み合わせをHigh Electron Mobility Transisto(HEMT)と呼ぶ！ 2.レーダーの基板とバッファ ・SiC (炭化ケイ素)基板 ↪︎高熱伝導で電子の流れるGaN素子を冷やす！ ↪︎高電圧にも耐えられる！ SiC→すごい！ ・AlN（窒化アルミニウム）バッファ ↪︎GaNチャネルの下に敷くクッション層。 結晶の欠陥を減らし、電子がスムーズに流れるようにする！はやーい！ 3.レーダーの絶縁/耐圧層 BN(窒化ホウ素)やGa₂O₃(酸化ガリウム) 強い電圧がかかっても素子が壊れないように守る！
